מספר מוצר של יצרן:

H5N2307LSTL-E

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

H5N2307LSTL-E-DG

תיאור:

MOSFET N-CH HS SW TO-263

תיאור מפורט:

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12860672

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

H5N2307LSTL-E מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Renesas Electronics Corporation

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

-

טכנולוגיה

-

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

-

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

-

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

-

VGS (מקס')

-

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

-

טמפרטורת פעולה

-

סוג הרכבה

-

חבילת מכשירים לספקים

-

חבילה / מארז

-

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

renesas-electronics-america

RJK0355DSP-01#J0

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

renesas-electronics-america

NP110N055PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

nexperia

NX7002AK,215

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

onsemi

NTTFS4H07NTAG

MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN