2SK4151TZ-E

מספר מוצר של יצרן:

2SK4151TZ-E

Product Overview

יצרן:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

2SK4151TZ-E-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 150V 1A TO92

תיאור מפורט:

N-Channel 150 V 1A (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12854583

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

2SK4151TZ-E מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Renesas Electronics Corporation

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

150 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.95Ohm @ 500mA, 4V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

-

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

3.5 nC @ 4 V

VGS (מקס')

±10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

98 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

750mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-92

חבילה / מארז

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

renesas-electronics-america

NP50P04KDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 50A TO263

onsemi

MTB2P50ET4G

MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK

renesas-electronics-america

2SK4150TZ-E

MOSFET N-CH 250V 400MA TO92

UPA2739T1A-E2-AY

MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON