מספר מוצר של יצרן:
2SK3483-AZ
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2SK3483-AZ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 28A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 28A (Ta) 1W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-251
מלאי:
12858276
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SK3483-AZ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2300 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta), 40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFU3410PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3321
DiGi מספר חלק
IRFU3410PBF-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
NDF06N60ZH
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP
NTMFS4C705NT1G
MOSFET N-CH 30V SO8FL
