מספר מוצר של יצרן:
2SK1340-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2SK1340-E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12860359
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SK1340-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
740 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
2SK1340
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFS5C645NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
NP110N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263