מספר מוצר של יצרן:
2SJ542-E
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
2SJ542-E-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 18A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
1523 יחידות חדשות מק originales במלאי
12942923
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SJ542-E מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RENRNS2SJ542-E
2156-2SJ542-E
חבילה סטנדרטית
125
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS4C50NT1G
30 V, 46A, SINGLE N-CHANNEL,
2SJ413-TH
MOSFET P-CH
IRLU8729-701PBF
MOSFET N-CH 30V 58A TO251-3-21
