מספר מוצר של יצרן:
PJS6603_S2_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJS6603_S2_00001-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 4.4A (Ta), 2.9A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
מלאי:
36918 יחידות חדשות מק originales במלאי
12973296
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJS6603_S2_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
PANJIT
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel Complementary
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
235pF @ 15V, 396pF @ 15V
הספק - מקס'
1.25W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-23-6
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
PJS6603
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJS6603_S2_00001TR
3757-PJS6603_S2_00001CT
3757-PJS6603_S2_00001DKR
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
PJL9824_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 13A 8SOP
PJT7812_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
