מספר מוצר של יצרן:
PJQ5425_R2_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJQ5425_R2_00001-DG
תיאור:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 15.8A (Ta), 90A (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DFN5060-8
מלאי:
12972589
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJQ5425_R2_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.8A (Ta), 90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
107 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6067 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DFN5060-8
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
PJQ5425
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJQ5425_R2_00001TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR420TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
BSS84-F169
MOSFET
PJS6401_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
