מספר מוצר של יצרן:
PJMH190N60E1_T0_00601
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJMH190N60E1_T0_00601-DG
תיאור:
600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD
מלאי:
1436 יחידות חדשות מק originales במלאי
12989056
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
QBXc
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJMH190N60E1_T0_00601 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1410 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
PJMH190
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJMH190N60E1_T0_00601
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IMT65R057M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R107M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
