מספר מוצר של יצרן:
PJMF900N60E1_T0_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJMF900N60E1_T0_00001-DG
תיאור:
600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 23.6W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
מלאי:
1998 יחידות חדשות מק originales במלאי
12973609
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJMF900N60E1_T0_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
344 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
23.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220AB-F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
PJMF900
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJMF900N60E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CT
3757-PJMF900N60E1_T0_00001TR
3757-PJMF900N60E1_T0_00001
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CTINACTIVE
3757-PJMF900N60E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CT-DG
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJW1NA60A_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJL9407_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ2408_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
