מספר מוצר של יצרן:
PJMD900N60EC_L2_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJMD900N60EC_L2_00001-DG
תיאור:
600V SUPER JUNCITON MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 47.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
5835 יחידות חדשות מק originales במלאי
12997378
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJMD900N60EC_L2_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
310 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
47.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
PJMD900
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJMD900N60EC_L2_00001DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
R6524KNXC7G
650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
