מספר מוצר של יצרן:
PJD7NA65_L2_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJD7NA65_L2_00001-DG
תיאור:
650V N-CHANNEL MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Ta) 140W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
12970614
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJD7NA65_L2_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
754 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
PJD7N
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJD7NA65_L2_00001CT
3757-PJD7NA65_L2_00001DKR
3757-PJD7NA65_L2_00001TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PXP400-100QSJ
MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
PJQ5419_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW3N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
