מספר מוצר של יצרן:
PJD4NA65_L2_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJD4NA65_L2_00001-DG
תיאור:
650V N-CHANNEL MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 4A (Ta) 77W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
12971676
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJD4NA65_L2_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
463 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
77W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
PJD4NA65
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJD4NA65_L2_00001CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJP40N06A_T0_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD14P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD90N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M