מספר מוצר של יצרן:
PJD4NA65H_L2_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJD4NA65H_L2_00001-DG
תיאור:
650V N-CHANNEL MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
12973026
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJD4NA65H_L2_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
423 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
34W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
PJD4NA65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJD4NA65H_L2_00001DKR
3757-PJD4NA65H_L2_00001CT
3757-PJD4NA65H_L2_00001TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ISK024NE2LM5AULA1
TRENCH <= 40V PG-VSON-6
PJC7409_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJF60R290E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
