מספר מוצר של יצרן:
SK8603190L
Product Overview
יצרן:
Panasonic Electronic Components
DiGi Electronics מספר חלק:
SK8603190L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 2.7W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
מלאי:
12865252
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SK8603190L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Panasonic
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta), 19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1.01mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.3 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1092 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.7W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
HSO8-F4-B
חבילה / מארז
8-PowerSMD, Flat Leads
מידע נוסף
שמות אחרים
P16271CT
P16271DKR
P16271TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
FL6L52010L
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1
MTM231100L
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI3-G1