מספר מוצר של יצרן:

WPB4001-1E

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

WPB4001-1E-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 26A TO3P-3L

תיאור מפורט:

N-Channel 500 V 26A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12844361

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

WPB4001-1E מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

500 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

26A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

260mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

-

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

87 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2250 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 220W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-3P-3L

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

מספר מוצר בסיסי

WPB40

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

30

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IXTQ460P2

יצרן

IXYS

כמות זמינה

73

DiGi מספר חלק

IXTQ460P2-DG

מחיר ליחידה

2.96

סוג משאב

Similar

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRF840L

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

onsemi

NVF3055L108T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

NTTFS4C58NTAG

MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN

infineon-technologies

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB