מספר מוצר של יצרן:
NVMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMYS2D2N06CLTWG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12857931
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMYS2D2N06CLTWG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Ta), 185A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 180µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
69 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4850 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LFPAK4 (5x6)
חבילה / מארז
SOT-1023, 4-LFPAK
מספר מוצר בסיסי
NVMYS2
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NVMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NVMYS2D2N06CLTWGTR
488-NVMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NVMYS2D2N06CLTWGCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3899(0)-ZK-E1-AZ
TRANSISTOR
RJK5012DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
NVTFS4823NWFTWG
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
