מספר מוצר של יצרן:
NVMYS012N10MCLTWG
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMYS012N10MCLTWG-DG
תיאור:
PTNG 100V LL LFPAK4
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 11.6A (Ta), 52A (Tc) 3.6W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12991773
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMYS012N10MCLTWG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.6A (Ta), 52A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12.2mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 77µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1338 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Ta), 72W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LFPAK4 (5x6)
חבילה / מארז
SOT-1023, 4-LFPAK
מספר מוצר בסיסי
NVMYS012
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVMYS012N10MCLTWGTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDC5661N-F086
MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH
NVBG022N120M3S
SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
NVH4L060N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
