NVMJST2D6N08HTXG
מספר מוצר של יצרן:

NVMJST2D6N08HTXG

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NVMJST2D6N08HTXG-DG

תיאור:

TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 5.3W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 10-TCPAK

מלאי:

10 יחידות חדשות מק originales במלאי
13002826
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

NVMJST2D6N08HTXG מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Ta), 131.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4405 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5.3W (Ta), 116W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
10-TCPAK
חבילה / מארז
10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
488-NVMJST2D6N08HTXGCT
488-NVMJST2D6N08HTXGTR
488-NVMJST2D6N08HTXGDKR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMN2991UFB4Q-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

onsemi

NVLJWS013N03CLTAG

T6 30V LL 2X2 WDFNW6

diodes

DMN31D4UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606

diodes

DMTH47M2LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333