מספר מוצר של יצרן:
NVMFSW6D1N08HT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
12842159
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMFSW6D1N08HT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Ta), 89A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 120µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2085 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NVMFSW6
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVMFSW6D1N08HT1GCT
2832-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GDKR
2832-NVMFSW6D1N08HT1G-488
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVD5414NT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NVMFS6B25NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
NTD14N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
