מספר מוצר של יצרן:
NVMFS6H824NT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMFS6H824NT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 19A (Ta), 103A (Tc) 3.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
12942606
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMFS6H824NT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Ta), 103A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2470 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 115W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NVMFS6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NVMFS6H824NT1GOSDKR
NVMFS6H824NT1GOSTR
NVMFS6H824NT1GOSCT
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS6N120BHTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1763
DiGi מספר חלק
RS6N120BHTB1-DG
מחיר ליחידה
1.14
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF1405-INF
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
2SK3481(0)-Z-E1-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
CPH6311-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET
