מספר מוצר של יצרן:
NVMFS6H801NWFT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMFS6H801NWFT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 23A (Ta), 157A (Tc) 3.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
מלאי:
12938879
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMFS6H801NWFT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Ta), 157A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4120 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 166W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NVMFS6
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVMFS6H801NWFT1GDKR
ONSONSNVMFS6H801NWFT1G
NVMFS6H801NWFT1G-DG
2156-NVMFS6H801NWFT1G-OS
488-NVMFS6H801NWFT1GCT
488-NVMFS6H801NWFT1GTR
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTP6412ANG
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
NTMFS4C028NT3G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
UPA1803GR-9JG-E1-A
MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP
