מספר מוצר של יצרן:
NVMFS4C302NWFT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVMFS4C302NWFT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 3.75W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
12844793
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
CBDR
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVMFS4C302NWFT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
43A (Ta), 241A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5780 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.75W (Ta), 115W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NVMFS4
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVMFS4C302NWFT1GDKR
488-NVMFS4C302NWFT1GCT
488-NVMFS4C302NWFT1GTR
NVMFS4C302NWFT1G-DG
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NVMFS4C302NT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1500
DiGi מספר חלק
NVMFS4C302NT1G-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
