מספר מוצר של יצרן:
NVJD5121NT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVJD5121NT1G-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
מלאי:
4589 יחידות חדשות מק originales במלאי
12858499
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVJD5121NT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
295mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.9nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
26pF @ 20V
הספק - מקס'
250mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-88/SC70-6/SOT-363
מספר מוצר בסיסי
NVJD5121
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NVJD5121NT1G-DG
NVJD5121NT1GOSDKR
NVJD5121NT1GOSTR
NVJD5121NT1GOSCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFD5C672NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
NTLGD3502NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
NVMFD5C462NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN