מספר מוצר של יצרן:
NVHL082N65S3F
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVHL082N65S3F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12859443
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVHL082N65S3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® III, FRFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3410 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
313W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
NVHL082
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-NVHL082N65S3F-488
חבילה סטנדרטית
450
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTB75N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
NTMTS1D5N08MC
PTNG 80V IN CEBU PQFN88
NTMS4816NR2G
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
