מספר מוצר של יצרן:
NVH4L045N065SC1
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVH4L045N065SC1-DG
תיאור:
SIC MOS TO247-4L 650V
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
מלאי:
445 יחידות חדשות מק originales במלאי
12972563
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVH4L045N065SC1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.3V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1870 pF @ 325 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
187W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4L
חבילה / מארז
TO-247-4
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVH4L045N065SC1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJD50N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJP10NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJD45P04-AU_L2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
