מספר מוצר של יצרן:
NVH4L015N065SC1
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVH4L015N065SC1-DG
תיאור:
SIC MOS TO247-4L 650V
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L
מלאי:
420 יחידות חדשות מק originales במלאי
12975159
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVH4L015N065SC1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tray
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
142A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.3V @ 25mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
283 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4790 pF @ 325 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4L
חבילה / מארז
TO-247-4
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVH4L015N065SC1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT30M61SLLG/TR
MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK
G16P03D3
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
DI010N03PW
MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
