מספר מוצר של יצרן:
NVH082N65S3F
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVH082N65S3F-DG
תיאור:
SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12972775
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVH082N65S3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® III, FRFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3410 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
313W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NVH082N65S3F
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJW5N10_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
NTMJS0D9N03CGTWG
MOSFET N-CH 30V LFPAK8
PJQ5476AL_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE