מספר מוצר של יצרן:
NVF2955T1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVF2955T1G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
מלאי:
3990 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847799
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVF2955T1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
492 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-223 (TO-261)
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
NVF2955
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NVF2955T1GOSDKR-DG
488-NVF2955T1GDKR
NVF2955T1GOSCT-DG
488-NVF2955T1GTR
NVF2955T1G-DG
NVF2955T1GOSTR-DG
NVF2955T1GOSCT
488-NVF2955T1GCT
NVF2955T1GOSTR
NVF2955T1GOSDKR
2156-NVF2955T1G-OS
ONSONSNVF2955T1G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
FQP33N10L
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
