מספר מוצר של יצרן:
NVB6411ANT4G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVB6411ANT4G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 77A (Tc) 217W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12859561
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVB6411ANT4G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
77A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
217W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
NVB6411
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-NVB6411ANT4G
ONSONSNVB6411ANT4G
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB80NF10T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
775
DiGi מספר חלק
STB80NF10T4-DG
מחיר ליחידה
1.46
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFS4510TRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2680
DiGi מספר חלק
IRFS4510TRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.97
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTA80N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
4140
DiGi מספר חלק
IXTA80N10T-DG
מחיר ליחידה
1.58
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB70N10S312ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
764
DiGi מספר חלק
IPB70N10S312ATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.17
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MTM982400BBF
MOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1-B
VN0300L
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
NP80N04PLG-E1B-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
