NTY100N10G

מספר מוצר של יצרן:

NTY100N10G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTY100N10G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 123A TO264

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12856899

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTY100N10G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

123A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

350 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

10110 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

313W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-264

חבילה / מארז

TO-264-3, TO-264AA

מספר מוצר בסיסי

NTY100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-NTY100N10G-ON

ONSONSNTY100N10G

חבילה סטנדרטית

25

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

renesas-electronics-america

NP22N055SLE-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 22A TO252

onsemi

NTR5103NT1G

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

onsemi

NVMFS5826NLT3G

MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN

nexperia

BUK9230-55A,118

MOSFET N-CH 55V 38A DPAK