מספר מוצר של יצרן:
NTMYS3D3N06CLTWG
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 3.9W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
מלאי:
2015 יחידות חדשות מק originales במלאי
12844490
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMYS3D3N06CLTWG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Ta), 133A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2880 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.9W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
LFPAK4 (5x6)
חבילה / מארז
SOT-1023, 4-LFPAK
מספר מוצר בסיסי
NTMYS3
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NTMYS3D3N06CLTWGCT
NTMYS3D3N06CLTWG-DG
488-NTMYS3D3N06CLTWGTR
488-NTMYS3D3N06CLTWGDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOTF11N60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
IPA65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
NVMFS5C673NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
