מספר מוצר של יצרן:
NTMSD6N303R2SG
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMSD6N303R2SG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12848179
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMSD6N303R2SG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
FETKY™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
950 pF @ 24 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
NTMSD6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RSH065N03TB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
RSH065N03TB1-DG
מחיר ליחידה
0.31
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTF3055L175T1G
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
IPB100N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
NTMFS4C022NT1G
MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
