NTMSD3P102R2SG

מספר מוצר של יצרן:

NTMSD3P102R2SG

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTMSD3P102R2SG-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12840801

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTMSD3P102R2SG מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

FETKY™

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.34A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

750 pF @ 16 V

תכונת FET

Schottky Diode (Isolated)

פיזור כוח (מרבי)

730mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

NTMSD3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTMSD3P102R2SG-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

ONSONSNTMSD3P102R2SG

2156-NTMSD3P102R2SG-ONTR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

3 (168 Hours)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NVMFS6H818NT1G

MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

onsemi

NVTFS5C466NLTAG

MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN

onsemi

NTD23N03R-001

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK

onsemi

NTD5413NT4G

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK