NTMS7N03R2G

מספר מוצר של יצרן:

NTMS7N03R2G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTMS7N03R2G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12844913

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTMS7N03R2G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.8A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

43 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1190 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

800mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

NTMS7

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

NTMS7N03R2GOSCT

ONSONSNTMS7N03R2G

NTMS7N03R2GOSTR

NTMS7N03R2GOSDKR

NTMS7N03R2GOS

2156-NTMS7N03R2G-OS

NTMS7N03R2GOS-DG

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTD3055-150T4

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

onsemi

NTMJS1D6N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK

onsemi

SVD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3

AO7400L

MOSFET N-CH 30V SC70-3