מספר מוצר של יצרן:
NTMS4872NR2G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMS4872NR2G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 6A/10.2A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 6A (Ta), 10.2A (Tc) 820mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12856147
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMS4872NR2G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Ta), 10.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.5mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1700 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
820mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
NTMS48
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSNTMS4872NR2G
2156-NTMS4872NR2G-ONTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN4800LSS-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
22578
DiGi מספר חלק
DMN4800LSS-13-DG
מחיר ליחידה
0.11
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DMN3016LSS-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
14193
DiGi מספר חלק
DMN3016LSS-13-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRF8113TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1665
DiGi מספר חלק
IRF8113TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
NVTFS5C478NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
NTS4172NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
