מספר מוצר של יצרן:
NTMS4177PR2G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMS4177PR2G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 6.6A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
6988 יחידות חדשות מק originales במלאי
12848627
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMS4177PR2G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 24 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
840mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
NTMS41
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTMS4177PR2GDKR
NTMS4177PR2GCT
NTMS4177PR2G-DG
Q7458880ZZ
NTMS4177PR2GTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AON7412
MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
AON2400
MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN
NVMFS5C670NLT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
