NTMS10P02R2G

מספר מוצר של יצרן:

NTMS10P02R2G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTMS10P02R2G-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

2644 יחידות חדשות מק originales במלאי

12857001

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTMS10P02R2G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.8A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

14mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

70 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±12V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

3640 pF @ 16 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

NTMS10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTMS10P02R2G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

NTMS10P02R2GOSCT

2156-NTMS10P02R2G-OS

2832-NTMS10P02R2GTR

NTMS10P02R2GOS

NTMS10P02R2GOSDKR

NTMS10P02R2GOSTR

=NTMS10P02R2GOSCT-DG

NTMS10P02R2GOS-DG

ONSONSNTMS10P02R2G

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

NP88N075KUE-E1-AZ

TRANSISTOR

onsemi

RFD16N05LSM

MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA

renesas-electronics-america

UPA2825T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

onsemi

NVTFS4C06NWFTAG

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN