מספר מוצר של יצרן:

NTMKE4892NT1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTMKE4892NT1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 26A/148A 4ICEPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 26A (Ta), 148A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12857151

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTMKE4892NT1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

26A (Ta), 148A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.6mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

61 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4270 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

חבילה / מארז

5-ICEPAK

מספר מוצר בסיסי

NTMKE4

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTMKE4892NT1G-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

1,500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

renesas-electronics-america

NP80N04PUG-E1B-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO263

onsemi

NTPF190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP

onsemi

NTD12N10T4

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

onsemi

NTP30N06LG

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB