מספר מוצר של יצרן:
NTMFS6H818NT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMFS6H818NT1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
מלאי:
1500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12938937
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMFS6H818NT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Ta), 123A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 190µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN, 5 Leads
מספר מוצר בסיסי
NTMFS6
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NTMFS6H818NT1GOSDKR
NTMFS6H818NT1GOSTR
NTMFS6H818NT1G-DG
NTMFS6H818NT1GOSCT
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS4926NET1G
MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
NTMFS5H600NLT1G
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
NTLJS4114NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
