מספר מוצר של יצרן:
NTMD2C02R2G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMD2C02R2G-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12857787
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMD2C02R2G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.2A, 3.4A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
43mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100pF @ 10V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
NTMD2C
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-NTMD2C02R2G-ONTR
ONSONSNTMD2C02R2G
NTMD2C02R2GOS
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTLUD4C26NTAG
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
NTMD2C02R2SG
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
