מספר מוצר של יצרן:
NTLJF3117PT1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTLJF3117PT1G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
מלאי:
20724 יחידות חדשות מק originales במלאי
12856499
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTLJF3117PT1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
µCool™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.2 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
531 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
710mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-WDFN (2x2)
חבילה / מארז
6-WDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
NTLJF3117
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTLJF3117PT1GOSTR
NTLJF3117PT1GOSDKR
NTLJF3117PT1G-DG
ONSONSNTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1GOSCT
=NTLJF3117PT1GOSCT-DG
2156-NTLJF3117PT1G-OS
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RJK4002DPP-M0#T2
MOSFET N-CH 400V 3A TO220FL
NTMFS4935NT1G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
NTMFS4C59NT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
