NTH4L067N65S3H
מספר מוצר של יצרן:

NTH4L067N65S3H

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTH4L067N65S3H-DG

תיאור:

SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-4L

מלאי:

12974438
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

NTH4L067N65S3H מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 3.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3750 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
266W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4L
חבילה / מארז
TO-247-4

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
488-NTH4L067N65S3H
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
NTH4LN067N65S3H
יצרן
onsemi
כמות זמינה
361
DiGi מספר חלק
NTH4LN067N65S3H-DG
מחיר ליחידה
4.45
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
panjit

PJE8400_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

microchip-technology

MSC750SMA170SA

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK

vishay-siliconix

SUD50N04-8M8P-4BE3

MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK

onsemi

NVBGS1D2N08H

T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT