NTGS1135PT1G

מספר מוצר של יצרן:

NTGS1135PT1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTGS1135PT1G-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP

תיאור מפורט:

P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12858154

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTGS1135PT1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

8 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

31mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

850mV @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

21 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±6V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2200 pF @ 6 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

970mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

6-TSOP

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

מספר מוצר בסיסי

NTGS11

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTGS1135PT1G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-NTGS1135PT1G-ONTR

ONSONSNTGS1135PT1G

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IPS60R800CEAKMA1

CONSUMER

onsemi

NTP75N03-6G

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

onsemi

NVMFS5C468NLT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NTP18N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB