NTD60N02R-1G

מספר מוצר של יצרן:

NTD60N02R-1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTD60N02R-1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12858397

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTD60N02R-1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.5A (Ta), 32A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

14 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1330 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.25W (Ta), 58W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I-PAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

NTD60

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTD60N02R-1G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

ONSONSNTD60N02R-1G

2156-NTD60N02R-1G-ON

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NVB6410ANT4G

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

onsemi

NTD20P06L-001

MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

onsemi

NVTFS5C680NLTAG

MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN

onsemi

NTD15N06LT4

MOSFET N-CH 60V 15A DPAK