NTD5867NL-1G

מספר מוצר של יצרן:

NTD5867NL-1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTD5867NL-1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 20A (Tc) 36W (Tc) Through Hole IPAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12847869

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTD5867NL-1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

20A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

39mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

15 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

675 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

36W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

IPAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

NTD58

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTD5867NL-1G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

NTD5867NL-1G-DG

NTD5867NL-1GOS

NTD5867NL1G

2156-NTD5867NL-1G-ON

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTBV45N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NDS355AN-NB9L007A

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

onsemi

NTMFS4C06NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN

onsemi

FQD16N25CTM_F080

MOSFET N-CH 250V 16A DPAK