מספר מוצר של יצרן:
NTD4809N-35G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTD4809N-35G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
מלאי:
12856613
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTD4809N-35G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1456 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
NTD48
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSNTD4809N-35G
2156-NTD4809N-35G-ON
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD090N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
94138
DiGi מספר חלק
IPD090N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SFP9540
MOSFET P-CH 100V 17A TO220-3
NTB110N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
SCH1430-TL-H
MOSFET N-CH 20V 2A 6SCH
