מספר מוצר של יצרן:
NTD4806NA-1G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTD4806NA-1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
12844829
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTD4806NA-1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 4.5 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2142 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
NTD48
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-NTD4806NA-1G-ON
ONSONSNTD4806NA-1G
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOTF12T60L
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
NTD5C434NT4G
MOSFET N-CH 40V 33A/160A DPAK
NDPL100N10BG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
