מספר מוצר של יצרן:
NTD4806N-35G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTD4806N-35G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-Pak
מלאי:
12857683
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTD4806N-35G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2142 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
NTD48
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSNTD4806N-35G
2156-NTD4806N-35G-ON
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTP27N06
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
NVD5C460NLT4G
MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
NTMS4935NR2G
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
