NTD3817N-1G
מספר מוצר של יצרן:

NTD3817N-1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTD3817N-1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK

מלאי:

12842429
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

NTD3817N-1G מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
16 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
702 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
NTD38

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
ONSONSNTD3817N-1G
2156-NTD3817N-1G-ON
חבילה סטנדרטית
75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

NTMFS4839NT1G

MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN

onsemi

NTLUS3A90PZTBG

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN

onsemi

NVMFS5113PLWFT1G

MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN

infineon-technologies

BSC047N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON