מספר מוצר של יצרן:
NTB52N10T4G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTB52N10T4G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 52A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12841344
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTB52N10T4G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
52A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
135 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 178W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
NTB52
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTB52N10T4GOSTR
NTB52N10T4GOSDKR
NTB52N10T4GOSCT
NTB52N10T4GOS
NTB52N10T4GOS-DG
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
HUF75639S3ST
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
8245
DiGi מספר חלק
HUF75639S3ST-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
HUF75645S3ST
יצרן
onsemi
כמות זמינה
25585
DiGi מספר חלק
HUF75645S3ST-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDB047N10
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDB047N10-DG
מחיר ליחידה
1.79
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN034-100BS,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
4605
DiGi מספר חלק
PSMN034-100BS,118-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NTB6413ANT4G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
759
DiGi מספר חלק
NTB6413ANT4G-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SFT1431-W
MOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
NVD5863NLT4G
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
2SK122800L
MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1
